磁性随机存储器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）是基于电子的自旋属性存储数据的非易失性存储器芯片技术，兼具静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力和动态随机存储器（DRAM）的高集成度，同时可实现闪存（FLASH）的断电不丢失数据特性，拥有高速读写、低功耗、耐擦写、高可靠和宽温区等独特优势，是新型非易失存储芯片的理想选择之一。该产品可应用于高可靠电子设备、工业芯片、汽车电子、消费电子产品以及人工智能等多个行业。

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